2.半导体三极管及其放大电路
1.晶体管能够放大的外部条件是_________
发射结正偏，集电结正偏
发射结反偏，集电结反偏
发射结正偏，集电结反偏
2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________
发射结正偏，集电结正偏
发射结反偏，集电结反偏
发射结正偏，集电结反偏
3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________
0.1V
0.5V
0.7V
4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________
0.1V
0.3V
0.5V
5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。则该管的β为_____
40
50
60
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________
越好
越差
无变化
7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________
高
低
一样
8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________
增大
减小
不变
9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________
升高
降低
不变
10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。
发射极
基极
集电极
11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________
右移
左移
不变
12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________
上移
下移
不变
12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________
不变
减小
增大
12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________
两者无关
有关
无法判断
15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________
晶体管一定被烧毁
晶体管的PC=PCM
晶体管的β一定减小
16.对于电压放大器来说， 越小，电路的带负载能力越强________
输入电阻
输出
电压放大倍数
17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________
NPN 型锗管
PNP 型锗管
PNP 型硅管
18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________
处于饱和状态
放大状态
截止状态
已损坏
19在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________
同相
反相
相差 90 度
20在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真
饱和
截止
饱和和截止
21.引起上题 放大电路输出波形失真的主要原因是______
输入电阻太小
静态工作点偏低
静态工作点偏高
22一放大电路如右图所示，当逐渐增大输入电压Ui的幅度时，输出电压Uo的波形首先出现了底部被削平的情况，为了消除这种失真，应_____
减小RC
减小RB
减小Vcc
题 1.2图
23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______
输出功率
静态工作点
交流参数
24. NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射结电压与电极电流的关系为_________
25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。
共射极
共集电极
共基极
26.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是 _______
晶体管的电流放大系数太大
电源电压太高
晶体管参数随环境温度的变化而变化
27. 在放大电路中，直流负反馈可以 ________
提高晶体管电流放大倍数的稳定性
提高放大电路的放大倍数
稳定电路的静态工作点
28. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路。
共射极
共集电极
共基极
29. 射极输出器无放大 _________ 的能力。
电压
电流
功率
30. 在共射、共集和共基三种基本放大电路中，输出电阻最小的是 _______ 放大电路。
共射极
共集电极
共基极
31. 与空载相比， 接上负载后，放大电路的动态范围一定_______
不变
变大
变小
32.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为_______
0.5kW
1kW
2kW
33已知右图所示放大电路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，Vcc=12V ,晶体管的β=80， UBE=0.6V。则可以判定，该晶体管处于_____
放大状态
饱和状态
截止状态
34.在上题中，若 晶体管的β降为50，则可以判定，
1该晶体管处于_____
放大状态
饱和状态
截止状态
2 放大电路的动态范围_____
放大状态
饱和状态
截止状态
3 当增大输入信号的幅值时，电路的输出波形将首先出现______失真。
饱和
截止
饱和和 截止
35. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路。
阻容耦合
变压器耦合
直接耦合
36 . 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式)多级放大电路相比，低频响应______
好
差
相同
37. 在多级放大电路中，不能抑制零点漂移的 ______ 多级放大电路。
阻容耦合
变压器耦合
直接耦合
38. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了______ 倍。
80
800
10000
39. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 ______
40dB
32dB
16dB
40.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 ______ 失真。
饱和
截止
频率
41.放大电路的两种失真分别为 ______ 失真。
线性和非线性
饱和和截止
幅度和相位
42. 直接耦合多级放大电路与阻容耦合（或变压器耦合)多级放大电路相比，低频响应 _______
差
好
差不多
43. 在放大电路幅频响应（波特图)曲线中，在上限截止频率fH和下限截止频率fH频率点处，电压增益比中频区增益下降了3dB，亦即在该频率点处的输出电压是中频区输出电压的 _______ 倍。
1/2
44. 在考虑放大电路的频率失真时，若输入信号Ui为正弦波，则输出信号___
会产生线性失真
会产生非线性失真
为正弦波
45.在晶体管组成的三种基本放大电路中，_______ 放大电路的高频特性最好。
共射极
共集电极
共基极
46. 对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 _____
变宽
变窄
两者一样
47. 多级放大电路的级数愈多则上限频率fH _________
越高 越低 无变化
48. 具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截至频率处，幅值下降 _______
3dB 6dB 20dB
49. 多级放大电路的级数愈多，则高频附加相移 _________
越大 越小 无变化
50. 晶体管的共射截止频率 fβ,共基截止频率fα及特征频率fT三者之间的大小关系是 _________
51. 已知某晶体管的fT=150MHz,βb=50。当其工作频率为50MHz时，fβ≈_____
50MHz 30MHz 3MHz
52. 单级阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，输出电压的相位与中频区相比，在量值上有_______ 度的附加值。
180 90 45
53在单级阻容耦合放大电路的波特图中，
(1)频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
20dB/ 十倍频， -20dB/ 十倍频，
20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
-20dB/ 十倍频， 20dB/ 十倍频，
(2)相频响应曲线的斜率在高频区和低频区分别为_______
45 ° / 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
45 ° / 十倍频， 45 ° B/ 十倍频
- 45°/ 十倍频， -45 ° B/ 十倍频
54 两级放大电路中，已知fL1=30Hz，fH1=30KHz;fL2=40Hz,fH1=60KHz。则_______
(1)总的下限截止频率fL=；
30Hz 40Hz 55Hz
(2)总的上限截止频率fH=。
18kHz 30kHz 60kHz
55. 一放大电路如右图所示，其中RL和CL为负载电阻和负载电容。
(1)当增大CL的容量时，该放大电路的fL将______；
增大 减小 不变
(2)如果 rbe<<RL//RC， C1=C2。那么fH_____
(3)当CL的容量减小时，该电路的fH将 ___
增大 减小 不变
(4)当忽略晶体管的结电容时，该电路的fH= ___
